二极管正向浪涌电流测试系统st-ifsmx

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二极管正向浪涌电流测试系统st-ifsm_x

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半导体检测·电学检测·老化实验

二极管正向浪涌电流测试系统st-ifsm_x

基础信息

1. 可用于各类二极管（diode）以及可控硅（scr）的正向浪涌电流（ifsm）试验，包括三极管（triode）、mosfte、igbt等全控器件的内置二极管

2. 电压3kv（可扩展4.5kv/6kv/8kv/10kv等）电流1ka（可扩展2ka/5ka/8ka/10ka等）

3. 浪涌电流（ifsm）：200~10ka、分辨率1a，精度±5％

4. 反向电压（vrrm）：200～3000v、分辨率10v，精度±5%

5. 浪涌电流（ifsm）底宽：8.3ms/60hz、10ms/50hz，可切换

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二极管正向浪涌电流测试系统st-ifsm_x

产品简介

1. 二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化），重者造成烧毁穿通而失去反向阻断能力。通过浪涌过载电流测试合格的器件，可以提高其在使用中的kekao性。

2. 该产品依据jb/t7624-94<整流二极管测试方法>和jb/t7626-94<反向阻断三极管测试方法>的有关规定而设计的。该 设备线路设计简洁精练，采用自动控制，完成对电容自动充电、自动稳压，自动检测浪涌电流的实际波形和峰值，并存储保持。浪涌电流峰值由数字表显示，浪涌电流波形由波形接口输出供外接示波器观察分析。该设备具有技术xianjin、性能kekao、体积小、重量轻、操作简单、测试重复性好、维修调试方便等特点，是电力半导体器件生产厂家bibei的试验检测设备。

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参数指标

1.电流源发波，待测样品两极电压不应超过器件在该电流下的导通电压

2.us级方波浪涌电流（ifsm）脉宽及测试范围

10us±10%，30~3000a±3%

100us±10%，30~500a±3%

1ms±10%，30~2000a±3%

10ms±10%，30~500a±3%

3.浪涌电流波形：近似方波，从10%至90%及90%下降到10%在整个 脉宽底宽20%以内,脉宽内max电流持续期间电流下降幅度5%以内

4.测试频率：单次/重复，当前重复浪涌需求1000次，支持固定时间间 隔发波及检测浪涌前后vf恢复程度发波

5.浪涌电流重复间隔时间（可设定）；间隔时间＞2s,≤0.5hz

6.反向阻断漏电irrm：检测范围不小于100ua~10ma，分辨率≤100ua，误差范围不大于±3%

7.保存导通压降和导通电流。测试前后保存小电流（≤5a）测试器件静态导 通压降vf，分辨率≤0.01v，误差≤±3%（可只用保存反馈vf,以评估器件是否损坏或用于后续工程评估测试后节温）。可测试时间点距离浪涌结束时间越短越好

8.可以满足外接温控单元进行高温浪涌测试

 

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