晶体管正向偏置安全工作区测试系统st-fbsoax

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晶体管正向偏置安全工作区测试系统st-fbsoa_x

 

陕西天士立科技有限公司

半导体检测·电学检测·老化实验

 

晶体管正向偏置安全工作区测试系统st-fbsoa_x

基础信息

1. si,sic,gan,材料的器件级和模块级的igbt,mos-fet的fbsoa（正向偏置安全工作区）测试

2. fbsoa和对应的iv曲线

3. ice电流0~1000a

4. vce电压0~100v

5. vge驱动电压0~30v

6. vmnf热敏电压≤5v

7. pmax功率100kw

8. 脉宽10us~10ms

9. 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机程控

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晶体管正向偏置安全工作区测试系统st-fbsoa_x

fbsoa定义

 

1. 该图是简版fbsoa曲线，划定了四条电压-电流关系的边界线，分别是ab段，bc段，cd段，de段

2. ab段规定了处于饱和导通状态下igbt的zd工作电流，这个电流与igbt的门极驱动电压幅值相关，从图看出，igbt 门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的zd工作电流越大

3. bc段是igbt max可重复电流icpuls，是4倍标称电流

4. cd段需结合igbt瞬态热阻看。igbt有线性区和饱和区

5. 跨ab段后，其igbt处于线性区了，也就退出饱和导通区， igbt损耗急剧上升。所以，这条边界体现igbt能承受zd耗散功率ptot。且ce电压越高，igbt所能承电流脉冲幅值越低。另外，电流脉宽越大，igbt所能承受电流幅值也越低

6. 蓝色cd段各种脉冲宽度下的soa，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的igbt瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在vce条件下允许的电流ic的幅值和脉宽

7. de段规定了igbt集射极ce击穿电压，igbtce击穿电压是和结温正相关，结温越低，ce击穿电压也越低

 

 

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产品特点

1. 测试规范：iec60747-9、iec60747-2、gb/t29332、gb/t4023

2. 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择，不同封装外观，更换“dut适配器”即可

3. 高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃

4. 计算机程控，测试数据可存储为excel、pdf。内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义

5. 安全稳定（plc对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能

6. 智能化，计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传特定局域网，支持mes系统和扫码枪连接

7. 安全性，防爆，防触电，短路保护等多重保护措施，可以操作人员、设备、数据及样品安全

8. 电压源电流源模块化设计，根据需求，自选搭配

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     关键词： 半导体分立器件静态动 - IGBT静态动态参数 - MOS-FET管场效 - 可控硅参数测试设备 - 光耦参数测试仪