igbt直流参数测试仪std2002

igbt测试项目

测试条件

测试结果

栅极-发射极栅

极绝缘

vges: 1.0-20.0v ,分辨力,0.1v

精度:±3% ±0.1v

iges: 0.1-20.0μa,分辨力,0.1μa

精度:±3% ±0.1μa

截止电流

vces: 100-2000v,分辨力,1 v

精度:±3% ±10v

ices: 100μa-1000μa,分辨力,10μa

1.0ma-10.0ma,分辩力,0.1ma

精度:±3% ±10μa

阈值电压

ice： 1-10ma， 分辨力， 1ma

（可根据客户需求扩展）

vge(th): 1.0-10.0v,分辨力,0.1v

精度:±3% ±0.1v

饱和压降

ice: 20-200a,分辨力,1a

精度:±3% ±1a

vce(sat): 0.20-10.00v,分辨力,0.01v

精度:±3% ±0.10v

二极管压降

if: 20-200a,分辨力,1a

精度:±3% ±1 a

vf: 0.10-5.00v分辨力0.01v

精度:±3% ±0.10v

二极管反向电流

vd:100-2000v,分辨力,1v

精度:±3% ±10v

id: 100μa-1000μa,分辨力,10μa

1.0ma-10.0ma,分辨力,0.1ma

精度:±3% ±10μa

mosfet测试项目

测试条件

测试结果

栅极-源极绝缘

vgss: 1.0-20.0v ,分辨力,0.1v

精度:±3% ±0.1v

igss: 0.1-20.0μa,分辨力,0.1μa

精度:±3% ±0.1μa

漏极-源极截止电流

vdss:100-2000v,分辨力,1v

精度:±3% ±10v

idss:100μa-1000μa,分辨力,10μa

1.0ma-10.0ma,分辨力,0.1ma

精度:±3% ±10μa

栅极-源极阈值电压

ids： 1-10ma， 分辨力， 1ma

vgs(to): 1.0-10.0v,分辨力,0.1v

精度:±3% ±0.1v

漏极-源极导通电阻

ids:20-200a,分辨力,1a

精度:±3% ±1a

rds(on):0-500mr,分辨力,1mr

二极管压降

if: 20-200a,分辨力,1a

精度:±3% ±1 a

vf: 0.10-5.00v分辨力0.01v

精度:±3% ±0.10v

二极管反向电流

vdss:100-2000v,分辨力,1v

精度:±3% ±10v

idss:100μa-1000μa,分辨力,10μa

1.0ma-10.0ma,分辨力,0.1ma

精度:±3% ±10μa

diode测试项目

测试条件

测试结果

二极管压降

if:20-200a,分辨力,1a

精度:±3% ±1a

vf: 0.10-5.00v分辨力0.01v

精度:±3% ±0.10v

二极管反向电流

vd:100-2000v,分辨力,1v

精度:±3% ±10v

id:100μa-1000μa,分辨力,10μa

1.0ma-10.0ma,分辨力,0.1ma

精度:±3% ±10μa