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晶体管直流参数测试系统std2000
陕西天士立科技有限公司
半导体检测·电学检测·老化实验
晶体管直流参数测试系统std2000
基础信息
测试分析:功率器件研发设计阶段的初始测试
失效分析:失效器件测试,失效机理,设计方案gaishan
选型配对:器件焊接pcb之前测试,按器件一致性分类配对
来料检验:部对入厂器件进行抽检/全检,把控良品率
量产测试:连接机械手、扫码枪、分选机等进行量产测试
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晶体管直流参数测试系统std2000
产品特点
三代半:youxiu的性能应对第三代半导体及传统器件,si,sic,gan器件
测试品类:覆盖25类常见的电子元器件及ic类,且支持定制扩展
功能丰富:轻松表征元器件“静态特性”“iv曲线”“cxss”“cv”
分析筛选:功能全面,配置丰富,胜任实验室场景中各类电参数表征
量产测试:1h gaoda7k~12k的测试效率,可连接“分选机”“编带 机”prober接口、16bin。
一键加热:一键脉冲自动加热至+130°c,耗时<1s;
高压源:1400v(选配2kv)
高流源:40a(选配100a,200a,500a)
驱动电压:20v/10ua~100ma(选配+40v/10ua~100ma)
漏电测量:1na漏电持续稳定测量,表现出youxiu的一致性和稳定性,更有1.5pa微电流测量选件可供选择。
gaojingdu:16位adc/dac,0.1%精度,1m/s采样速率.
程控软件:基于labview平台开发的填充式菜单软件界面:
夹具工装:适配各类封装形式的器件,自动识别器件极性npn/pnp.
校准:系统自带校准软件,也可通过rs232接口连接数字表进行校验
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晶体管直流参数测试系统std2000
测试品类
01.diode/二极管(稳压、瞬态、三端肖特基、tvs、整流桥、三相整流桥)
02.bjt/三极管
03.mosfet&jfet/场效应管
04.scr/可控硅(单向/双向)
05.igbt/绝缘栅双jida功率晶体管
06.oc/光耦
07.relay/继电器
08.darlingtontube/达林顿阵列
09.currentsensor/电流传感器
10.基准ic(tl431)
11.电压复位ic
12.稳压器(三端/四端)
13.三端开关功率驱动器
14.七端半桥驱动器
15.高边功率开关
16.电压保护器(单组/双组)
17.开关稳压集成器
18.压敏电阻
19.电压jiankong器
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晶体管直流参数测试系统std2000
测试参数
漏电参数:ir、icbo、lceo/s/x、idss/x、idoff、idrm、irrm、icoff、idgo、ices、igesf、igesr、iebo、igssf、igssr、igss、igko、ir(opto)
击穿参数:bvceobvces(300μspulseabove10ma)bvdss、vd、bvcbo、vdrm、vrrm、vbb、bvr、vd+、vd-、bvdgo、bvz、bvebo、bvgss、bvgko
导通参数:vcesat、vbesat、vbeon、 vf、vt、vt+、vt-、von、vdson、vdon、vgson、vf(opto-diode)vgsth、vtm、vgeth、vsd、idon、vsat、idon、vo(regulator)notch=igt1、igt4、icon、vgeon、、iin(regulator)
关断参数:vgsoff
触发参数:igt、vgt
保持参数:ih、ih+、ih-
锁定参数:il、il+、il-
增益参数:hfe、ctr、gfs
间接参数:il
混合参数:rdson、gfs、input@output/regulation
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性能指标
晶体管直流参数测试系统std2000
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本公司主营:
半导体分立器件静态动
-
IGBT静态动态参数
-
MOS-FET管场效
-
可控硅参数测试设备
-
光耦参数测试仪
本文链接:
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