晶体管动态特性测试系统sta1200

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王伟
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晶体管动态特性测试系统sta1200


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半导体检测·电学检测·老化实验


晶体管动态特性测试系统sta1200

基础信息

高压源:1200v(选配2000v)

高流源:100a(选配200a/300a/500a)

驱动电压:±20v(选配±30v)

时间分辨率:1ns(选配400ps/200ps/100ps)

系统杂感:20nh

测试对象:si(sic/gan)igbt,diode,mosfet(选配bjt)

变温测试:常温~150℃/200℃

感性负载:程控电感(0.01~160mh,步进10uh)

阻性负载:程控电阻(1ω,2ω,5ω,10ω,50ω)备用三个

测试管型:可以测试n沟道和p沟道的igbts,mosfets

测试标准:iec60747-9/iec60747-2,gb/t29332/gb/t4023


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晶体管动态特性测试系统sta1200

试验原理举例


 

晶体管动态特性测试系统sta1200

技术特点

1. 宽禁带功率器件动态参数评测,软件程控,测试条件界面化输入,系统闭环处理,自动调节一键测试

2. 采用光纤驱动信号通讯,响应速度快,抗干扰能力强

3. 自动加热可由室温~200℃,精度±0.1℃

4. 测试结果excel,jpeg波形,波形任意缩放细节展宽分析

5. 测试主功率回路寄生电感ls<10nh(实测)

6. 栅极驱动电阻rg端口开放,按设定条件匹配电阻

7. dualarm控核,dsp数据采样计算,减少控制时延误差


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晶体管动态特性测试系统sta1200

试验能力

标配:开通特性测试单元/turn_on

标配:关断特性测试单元/turn_off

标配:二极管反向恢复测试单元/trr

标配:栅电荷测试单元/qg***

选配:容阻测



试单元/cr***

选配:短路测试单元/sc***

选配:雪崩测试单元/uis***

选配:安全工作区单元/soa***

选配:动态电阻单元/


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晶体管动态特性测试系统sta1200

参数指标


 标配开关测试单元 / turn_on/off

漏极电压: 5v-1200v, 分辨率 1v

漏极电流: 1a-100a, 分辨率1a;

栅极驱动: ±20v (选配±30v), 分辨率 0.1v

栅极电流: 2a/max

脉冲宽度: 1us-500us,步进 0.1us

时间精度: 1ns

感性负载: 0.01mh-160mh 程序控制, 步进 10uh

阻性负载: 1ω、2ω、5ω、10ω、50ω ,  程控, 备用三个电阻

开关时间: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps)

开关yc td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (选配400/200/100ps)

上下时间/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (选配400/200/100ps)

开关损耗/ eon/eoff: 1-2000mj 小分辨率 1uj



 标配  栅极电荷单元 / qg

驱动电流: 0-2ma, 分辨率 0.01ma

2-20ma, 分辨率 0.1ma

20ma-200ma, 分辨率 1ma

栅极电压: ±20v (选配±30v) @0.1v

恒流源负载: 1-25a, 分辨率0.1a

25-100a(选配200a/300a)@1a

漏极电压: 5-100v, 步进 0.1v

100-1200v, 步进 1.0v

栅极电荷 qg: 1nc-100μc

漏极电荷 qgs: 1nc-100μc

源极电荷 qgd: 1nc-100μc

平台电压 vgp: 0~30v, 分辨率 0.1v


 标配  二极管反向恢复测试单元 / qrr_frd

正向电流: 1a-25a, 分辨率 0.1a

25a-100a (选配200a/300a) 分辨率 1a

反向电压: 5v-100v, 步进 0.1v

100v-1200v, 步进 1.0v

反向恢复时间 trr: 1-10000ns, 小分辨率1ns (选配400/200/100ps)

反向恢复电荷 qrr: 1nc-100μc, 小分辨率 1nc;

反向恢复电流 irm: 1a-100a (选配200a/300a);

反向恢复损耗 erec: 1-2000mj, 小分辨率 1uj;

电流下降率 dif/dt: 50-1ka/us;

电压变化率 dv/dt: 50-1kv/us。


*** 选配  短路特性测试单元/ sc

电流: 1000a/max

脉宽: 1us~100us

栅驱电压: ±20v (选配±30v) @0.1v

漏极电压: 5v~100v, 0.1v 分辨率

100v~1200v, 1.0v 分辨率


*** 选配  雪崩测试单元 / uis

雪崩耐量/eas: 100j

雪崩击穿电压/2500v

雪崩电流/ias: 1.0-400a 分辨率 1.0a

感性负载/0.01-160mh@10μh, 程控可调


*** 选配  容阻测试单元 / cr

扫频范围: 0.1mhz~5mhz

漏源极电压: 1200v, 分辨率 1v


*** 选配  动态电阻ron,dy


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